48v Powerwall

Uit meerdere componenten bestaande dunne--filmzonnecellen zijn gemaakt van anorganische zouten, waaronder voornamelijk galliumarsenide III-V-verbindingen, cadmiumsulfide en koper-indiumselenide dunne--filmcellen.

Polykristallijne dunne{0}} dunnefilmcellen met cadmiumsulfide en cadmiumtelluride bieden een hogere efficiëntie dan dunne-filmzonnecellen van amorf silicium, zijn goedkoper dan enkelvoudige-kristallijne siliciumcellen en zijn gemakkelijker in massa te produceren-. Vanwege de zeer giftige aard van cadmium vormt het echter een aanzienlijk milieurisico. Daarom zijn ze geen ideaal alternatief voor zonnecellen van kristallijn silicium.

Galliumarsenide (GaAs) III-V-cellen kunnen een conversie-efficiëntie bereiken van maximaal 28%. GaAs-compoundmaterialen hebben een ideale optische bandafstand en een hoge absorptie-efficiëntie, een sterke stralingsweerstand en zijn ongevoelig voor hitte, waardoor ze geschikt zijn voor de productie van hoog-efficiënte single--cellen. De hoge kosten van GaAs-materiaal hebben het wijdverbreide gebruik ervan echter aanzienlijk beperkt.

Dunne{0}}filmcellen (CIS) van koperindiumselenide zijn geschikt voor foto-elektrische conversie, zijn immuun voor door licht-geïnduceerde degradatie en bieden conversie-efficiënties die vergelijkbaar zijn met die van polykristallijn silicium. Met hun lage kosten, uitstekende prestaties en eenvoudige productieprocessen zijn ze klaar om een ​​belangrijke ontwikkelingsrichting voor de ontwikkeling van zonnecellen te worden. Het enige probleem is de bron van de materialen. Omdat indium en selenium relatief zeldzame elementen zijn, is de ontwikkeling van dit type batterij onvermijdelijk beperkt.